Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tray van 10 eenheden)*

€ 784,55

(excl. BTW)

€ 949,31

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 november 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
10 - 40€ 78,455€ 784,55
50 +€ 76,895€ 768,95

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
260-8887
Fabrikantnummer:
FF50R12RT4HOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation

285 W

Package Type

AG-34MM

Configuration

Dual

Mounting Type

Chassis Mount

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature
Low switching losses
Low VCEsat
Isolated base plate
Standard housing

Gerelateerde Links