Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 102,43

(excl. BTW)

€ 123,94

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 februari 2028
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 102,43
5 - 9€ 98,62
10 - 49€ 94,80
50 +€ 92,93

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
260-8888
Fabrikantnummer:
FF50R12RT4HOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation Pd

285W

Package Type

AG-34MM

Configuration

Dual

Mount Type

Chassis

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature

Low switching losses

Low VCEsat

Isolated base plate

Standard housing

Gerelateerde Links