STMicroelectronics STGD18N40LZT4, Type N-Channel IGBT, 30 A 390 V, 3-Pin TO-252, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 5 eenheden)*

€ 6,54

(excl. BTW)

€ 7,915

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.470 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5 - 20€ 1,308€ 6,54
25 - 45€ 1,24€ 6,20
50 - 120€ 1,116€ 5,58
125 - 245€ 1,004€ 5,02
250 +€ 0,956€ 4,78

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
795-9019
Fabrikantnummer:
STGD18N40LZT4
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

390V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

16 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Standards/Approvals

AEC Q101

Series

STGD18N40LZ

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

180mJ

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links