STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,86

(excl. BTW)

€ 9,51

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,786€ 7,86
50 - 90€ 0,745€ 7,45
100 - 240€ 0,671€ 6,71
250 - 490€ 0,605€ 6,05
500 +€ 0,575€ 5,75

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
906-2798
Fabrikantnummer:
STGD5H60DF
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

Trench Gate Field Stop IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

10A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.95V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.2 mm

Series

H

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.6mm

Height

2.4mm

Energy Rating

221mJ

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links