onsemi HGT1S10N120BNST, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,42

(excl. BTW)

€ 12,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 8 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 472 stuk(s) vanaf 24 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,21€ 10,42
20 - 198€ 4,49€ 8,98
200 +€ 3,895€ 7,79

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
807-6660
Fabrikantnummer:
HGT1S10N120BNST
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

35A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

298W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.45V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

NPT

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links

Recently viewed