onsemi, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 1.987,20

(excl. BTW)

€ 2.404,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tekort aan aanbod
  • 2.400 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Onze huidige voorraad is beperkt en onze leveranciers verwachten tekorten.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 +€ 2,484€ 1.987,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
185-7972
Fabrikantnummer:
AFGB40T65SQDN
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

238W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, Pb-Free

Height

4.06mm

Length

9.65mm

Width

10.67 mm

Energy Rating

22.3mJ

Automotive Standard

AEC-Q101

Niet conform

Land van herkomst:
CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A

Low VF soft recovery co-packaged diode

For automotive

Low conduction loss

Low noise and conduction loss

Applications

Automotive On Board Charge

Automotive DC/DC converter for HEV

End Products

EV/PHEV

Gerelateerde Links