onsemi FGH40T120SMD, Type N-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,58

(excl. BTW)

€ 10,38

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6 stuk(s) vanaf 20 februari 2026
  • Plus verzending 450 stuk(s) vanaf 01 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,58
10 - 99€ 7,39
100 - 249€ 6,11
250 - 499€ 5,77
500 +€ 5,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
864-8855
Fabrikantnummer:
FGH40T120SMD
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

555W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.8V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Field Stop

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links