IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 50,82

(excl. BTW)

€ 61,49

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 88 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 50,82
5 - 19€ 44,68
20 - 49€ 41,72
50 - 99€ 40,66
100 +€ 39,64

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
194-091
Fabrikantnummer:
IXFN24N100
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

568W

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

267nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links