STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 30 A, 600 V Enhancement, 2-Pin TO-263 STB45N60DM6

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,04

(excl. BTW)

€ 7,31

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 990 stuk(s) vanaf 14 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 6,04
10 - 99€ 5,44
100 - 499€ 5,00
500 +€ 4,64

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-851
Fabrikantnummer:
STB45N60DM6
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

STB

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.85mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

10.4 mm

Height

4.6mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics High-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener protected

Gerelateerde Links