STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 3.945,00

(excl. BTW)

€ 4.773,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 3,945€ 3.945,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
233-3038
Fabrikantnummer:
STB37N60DM2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Gerelateerde Links

Recently viewed