STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB37N60DM2AG
- RS-stocknr.:
- 233-3039
- Fabrikantnummer:
- STB37N60DM2AG
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 eenheid)*
€ 6,36
(excl. BTW)
€ 7,70
(incl. BTW)
Voeg 14 eenheden toe voor gratis bezorging
Op voorraad
- 970 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,36 |
| 5 - 9 | € 6,05 |
| 10 - 24 | € 5,45 |
| 25 - 49 | € 4,91 |
| 50 + | € 4,64 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 233-3039
- Fabrikantnummer:
- STB37N60DM2AG
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Gerelateerde Links
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH12N120K5-2
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 2-Pin TO-263 STB45N60DM6
- STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M6
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB28N60EF-GE3