STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT040W120G3-4

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 494,46

(excl. BTW)

€ 598,29

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 30 stuk(s) vanaf 28 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 16,482€ 494,46

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-957
Fabrikantnummer:
SCT040W120G3-4
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Hip-247-4

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Forward Voltage Vf

1200V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 to 22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

RoHS, ECOPACK2

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Gerelateerde Links