ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2 eenheden)*

€ 5,78

(excl. BTW)

€ 7,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2 - 18€ 2,89€ 5,78
20 - 198€ 2,605€ 5,21
200 - 998€ 2,405€ 4,81
1000 - 1998€ 2,23€ 4,46
2000 +€ 1,81€ 3,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-884
Fabrikantnummer:
RJ1P07CBHTL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263AB

Series

RJ1

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73.0nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

135W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Nch 100V 120A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.

Low on-resistance

High power small mold package (TO263AB)

Pb-free plating and RoHS compliant

100% UIS tested

Gerelateerde Links