ROHM N channel-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1L10BBGTL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2 eenheden)*

€ 8,81

(excl. BTW)

€ 10,66

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Nieuw product (vandaag reserveren)
  • Verzending vanaf 01 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2 - 18€ 4,405€ 8,81
20 - 98€ 3,875€ 7,75
100 +€ 3,13€ 6,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
780-362
Fabrikantnummer:
RJ1L10BBGTL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

240A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263AB-3LSHYAD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.41mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.77mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

8.9mm

Length

10.36mm

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-current power management. This robust device is engineered for motor drives and DC/DC converters, ensuring exceptional efficiency in demanding industrial switching circuits.

Drain to source voltage of 60 V

Continuous drain current of 105 A

Ultra-low 1.85 mΩ typical on-resistance

High power dissipation of 192 W

Gerelateerde Links