ROHM RJ1 1 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P04BBHTL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 5 eenheden)*

€ 10,04

(excl. BTW)

€ 12,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5 - 45€ 2,008€ 10,04
50 - 95€ 1,906€ 9,53
100 - 495€ 1,766€ 8,83
500 - 995€ 1,628€ 8,14
1000 +€ 1,564€ 7,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-883
Fabrikantnummer:
RJ1P04BBHTL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263AB

Series

RJ1

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38.0nC

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Number of Elements per Chip

1

The ROHM Nch 100V 80A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.

Low on-resistance

High power small mold package (TO263AB)

Pb-free plating and RoHS compliant

100% UIS tested

Gerelateerde Links