ROHM N channel-Channel MOSFET, 280 A, 40 V, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1G10BBGTL1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2 eenheden)*

€ 8,74

(excl. BTW)

€ 10,58

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Nieuw product (vandaag reserveren)
  • Verzending vanaf 02 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2 - 18€ 4,37€ 8,74
20 - 98€ 3,845€ 7,69
100 +€ 3,10€ 6,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
780-361
Fabrikantnummer:
RJ1G10BBGTL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

280A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263AB-3LSHYAD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.85mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

210nC

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.36mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

4.77mm

Width

8.9mm

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive and industrial power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for high-voltage applications, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments.

Drain to source voltage of 100 V

Continuous drain current of 12 A

Compact DFN2020Y package

Automotive AEC-Q101 qualification

Gerelateerde Links