Infineon FZ1200 3 P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4BPSA1

Bekijk alle MOSFETs
Niet beschikbaar
RS heeft dit product niet meer op voorraad.
RS-stocknr.:
277-198
Fabrikantnummer:
FZ1200R45HL4BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.2 kA

Maximum Drain Source Voltage

4500 V

Series

FZ1200

Package Type

Tray

Mounting Type

Chassis Mount

Channel Mode

Depletion

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

3

Land van herkomst:
HU
The Infineon IGBT Module is a IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate. The best solution for your industry applications.

High power density
For compact inverter designs
Standardized housing

Gerelateerde Links