Infineon FZ1200 3 P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4BPSA1

Bekijk alle MOSFETs
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
277-198
Fabrikantnummer:
FZ1200R45HL4BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.2 kA

Maximum Drain Source Voltage

4500 V

Package Type

Tray

Series

FZ1200

Mounting Type

Chassis Mount

Channel Mode

Depletion

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

3

Land van herkomst:
HU
The Infineon IGBT Module is a IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate. The best solution for your industry applications.

High power density
For compact inverter designs
Standardized housing

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.