Infineon FZ1200 Type P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4S7BPSA1

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
277-199
Fabrikantnummer:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2kA

Maximum Drain Source Voltage Vds

4500V

Series

FZ1200

Package Type

Tray

Mount Type

Chassis

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

2.95V

Maximum Power Dissipation Pd

2400kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
HU
The Infineon IGBT Module is a IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate. The best solution for your industry applications.

High power density

For compact inverter designs

Standardized housing

Gerelateerde Links