Infineon FZ1200 Type P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4S7BPSA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
277-199
Fabrikantnummer:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2kA

Maximum Drain Source Voltage Vds

4500V

Series

FZ1200

Package Type

Tray

Mount Type

Chassis

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

2400kW

Forward Voltage Vf

2.95V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
HU
The Infineon IGBT Module is a IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate. The best solution for your industry applications.

High power density

For compact inverter designs

Standardized housing

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.