Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 5.4 A, 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R1K0M1XKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 11,48

(excl. BTW)

€ 13,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,74€ 11,48
20 - 198€ 5,165€ 10,33
200 - 998€ 4,765€ 9,53
1000 - 1998€ 4,425€ 8,85
2000 +€ 3,96€ 7,92

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-108
Fabrikantnummer:
IMWH170R1K0M1XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1700V

Series

CoolSiC

Package Type

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

880mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET designed for efficient power switching. It is 12 V / 0 V gate-source voltage compatible, making it suitable for use with most flyback controllers. Featuring a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it ensures reliable and efficient switching performance in a wide range of power applications. This MOSFET is an excellent choice for systems requiring high voltage operation and enhanced energy efficiency.

Very low switching losses

Fully controllable dv/dt for EMI optimization

The .XT interconnection technology for best in class thermal performance

Gerelateerde Links