Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R650M1XKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 13,51

(excl. BTW)

€ 16,348

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 230 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 6,755€ 13,51
20 - 198€ 6,08€ 12,16
200 +€ 5,605€ 11,21

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-110
Fabrikantnummer:
IMWH170R650M1XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1700V

Package Type

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

580mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.1nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET designed for efficient power switching. It is 12 V / 0 V gate-source voltage compatible, making it suitable for use with most flyback controllers. Featuring a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it ensures reliable and efficient switching performance in a wide range of power applications. This MOSFET is an excellent choice for systems requiring high voltage operation and enhanced energy efficiency.

Very low switching losses

Fully controllable dv/dt for EMI optimization

The .XT interconnection technology for best in class thermal performance

Gerelateerde Links