Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor, 54 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ143N13NM6ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 12,92

(excl. BTW)

€ 15,635

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.980 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,584€ 12,92
50 - 95€ 2,456€ 12,28
100 +€ 2,274€ 11,37

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-155
Fabrikantnummer:
ISZ143N13NM6ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

135V

Series

ISZ

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

95W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon OptiMOS 6 power MOSFET 135 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package. OptiMOS 6 135 V targets high power motor drive applications such as LEVs, e-forklifts, power and gardening tools, but also UPS applications which predominantly use 72 to 84 V batteries. This product effectively bridges the gap between the 120 V and 150 V MOSFETs and provides significant improvements in RDS(on) and cost, helping improve the system efficiency.

System cost reduction

Less paralleling required

Reduced VDS overshoot and switching losses

Higher power density designs

Gerelateerde Links