Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor, 128 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ028N03LF2SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,05

(excl. BTW)

€ 13,37

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.950 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,105€ 11,05
100 - 240€ 1,05€ 10,50
250 - 490€ 0,972€ 9,72
500 - 990€ 0,895€ 8,95
1000 +€ 0,861€ 8,61

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
348-902
Fabrikantnummer:
ISZ028N03LF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TSDSON-8

Series

ISZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package. Its features a best-in-class RDS(on) of 2.8 mOhm in a PQFN 3.3 x 3.3 package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency. Compared to the previous technology, its achieves up to 40% RDS(on) improvement while having up to 60% FOM enhancement and excellent robustness.

General purpose products

Excellent robustness

Superior price/performance ratio

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Gerelateerde Links