Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor, 109 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ033N03LF2SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,91

(excl. BTW)

€ 8,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,691€ 6,91
100 - 240€ 0,656€ 6,56
250 - 490€ 0,608€ 6,08
500 - 990€ 0,559€ 5,59
1000 +€ 0,539€ 5,39

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
348-903
Fabrikantnummer:
ISZ033N03LF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

109A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TSDSON-8

Series

ISZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249‑2‑21, RoHS, JEDEC

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package. Infineon’s StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best-in-class RDS(on) of 3.3 mOhm in a PQFN 3.3 x 3.3 package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Superior price/performance ratio

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Gerelateerde Links