Fabrikantnummer

Infineon ISG N-Channel Power Transistor, 299 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0613N04NM6HSCATMA1

RS-stocknr.:: 349-394
Fabrikantnummer:: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Fabrikant:: Infineon

Infineon ISG N-Channel Power Transistor, 299 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0613N04NM6HSCATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,78

(excl. BTW)

€ 13,04

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending 3.000 stuk(s) vanaf 07 oktober 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
2 - 18	€ 5,39	€ 10,78
20 - 198	€ 4,84	€ 9,68
200 - 998	€ 4,475	€ 8,95
1000 - 1998	€ 4,145	€ 8,29
2000 +	€ 3,725	€ 7,45

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 349-394
Fabrikantnummer:: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id	299A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PG-WHITFN-10-1
	Series	ISG
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.88mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	167W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	69nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Channel Type N
	Product Type Power Transistor
	Maximum Continuous Drain Current Id 299A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PG-WHITFN-10-1
	Series ISG
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.88mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 167W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - ISG0613N04NM6HSCATMA1

Land van herkomst:: MY

The Infineon OptiMOS 6 dual N-channel 40 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability. Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features low RDS(on) of 0.88 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The dual-side cooling capability boosts power throughput by an additional 25% with superior thermal management.

Minimized conduction losses

Reduced voltage overshoot

High power capability

Superior thermal performance

Lowest loop inductance

Superior thermal management

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.