Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor, 138 A, 200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF067N20NM6ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,77

(excl. BTW)

€ 10,61

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,77
10 - 99€ 7,89
100 - 499€ 7,27
500 - 999€ 6,75
1000 +€ 6,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-407
Fabrikantnummer:
IPF067N20NM6ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

138A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

PG-TO263-7

Series

IPF

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall efficiency. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it offers superior switching performance. The device also has very low reverse recovery charge (Qrr), ensuring efficient operation.

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Gerelateerde Links