Infineon IMW65 Type N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R033M2HXKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 13,12

(excl. BTW)

€ 15,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 13,12
10 - 99€ 11,81
100 +€ 10,89

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-865
Fabrikantnummer:
IMW65R033M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Output Power

194W

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO-247

Series

IMW65

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC for Industrial Applications

Width

21.5 mm

Height

5.3mm

Length

16.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mΩ G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Excellent figures of merit (FOMs)

Best in class RDS(on)

High robustness and overall quality

Flexible driving voltage range

Support for unipolar driving (VGSoff=0)

Best immunity against turn-on effects

Improved package interconnect with .XT

Gerelateerde Links