Infineon IMW65 Type N-Channel MOSFET, 32.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R060M2HXKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,26

(excl. BTW)

€ 9,99

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 235 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,26
10 - 99€ 7,43
100 - 499€ 6,85
500 - 999€ 6,36
1000 +€ 5,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-867
Fabrikantnummer:
IMW65R060M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

32.8A

Output Power

130W

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO-247

Series

IMW65

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC

Width

21.5 mm

Length

16.3mm

Height

5.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mΩ G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Excellent figures of merit (FOMs)

Best in class RDS(on)

High robustness and overall quality

Flexible driving voltage range

Support for unipolar driving (VGSoff=0)

Best immunity against turn-on effects

Improved package interconnect with .XT

Gerelateerde Links