Infineon IMW65 Type N-Channel MOSFET, 130 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R010M2HXKSA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 27,98

(excl. BTW)

€ 33,86

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 27,98
10 - 99€ 25,18
100 +€ 23,22

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-950
Fabrikantnummer:
IMW65R010M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Output Power

312W

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IMW65

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC

Height

5.3mm

Length

16.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Ease of use

Full compatibility with existing vendors

Allows designs without fan or heatsink

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.