Infineon IMW65 Type N-Channel MOSFET, 130 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R010M2HXKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 32,70

(excl. BTW)

€ 39,57

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 32,70
10 - 99€ 29,43
100 +€ 27,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-950
Fabrikantnummer:
IMW65R010M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Output Power

312W

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IMW65

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.3mm

Width

21.5 mm

Standards/Approvals

JEDEC

Length

16.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Ease of use

Full compatibility with existing vendors

Allows designs without fan or heatsink

Gerelateerde Links