Infineon IMZC120 Type N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R034M2HXKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 11,84

(excl. BTW)

€ 14,33

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 240 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 11,84
10 - 99€ 10,66
100 +€ 9,83

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-928
Fabrikantnummer:
IMZC120R034M2HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

PG-TO-247-4-U07

Series

IMZC120

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

89mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

244W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

15.6 mm

Length

23.1mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC MOSFET discrete with high creepage package builds on the strengths of Generation 1 technology with significant improvement that provides an advanced solution for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design and reliable system. It enhanced better performance in both hard-switching operation and soft-switching topologies for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Better energy efficiency

Cooling optimization

Higher power density

New robustness features

Highly reliable

Easy paralleling

Gerelateerde Links