Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 118 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM170S12TDRB

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 20,34

(excl. BTW)

€ 24,61

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 27 stuk(s) vanaf 02 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 20,34
10 - 99€ 18,30
100 +€ 16,88

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
427-760
Fabrikantnummer:
DM170S12TDRB
Fabrikant:
Starpower
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Starpower

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Channel Type

Single Switch

Maximum Continuous Drain Current Id

118A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

DOSEMI

Package Type

Tape & Reel

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.0mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

3.6V

Maximum Power Dissipation Pd

355W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

19 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Chip sintering technology

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

Gerelateerde Links