Vishay SI3122DV Type N-Channel Single MOSFETs, 1.95 A, 100 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SI3122DV-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 567,00

(excl. BTW)

€ 687,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,189€ 567,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-088
Fabrikantnummer:
SI3122DV-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

1.95A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI3122DV

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.160Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.34W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.1mm

Width

2.98 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in a TSOP-6 format, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and efficient thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

Gerelateerde Links