Fabrikantnummer

Vishay SIB4122DK N-Channel Single MOSFETs, 5.9 A, 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SIB4122DK-T1-GE3

RS-stocknr.:: 653-093
Fabrikantnummer:: SIB4122DK-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIB4122DK N-Channel Single MOSFETs, 5.9 A, 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SIB4122DK-T1-GE3

Subtotaal (3000 eenheden, op een rol van 3000)*

€ 681,00

(excl. BTW)

€ 825,00

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 6.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
3000 +	€ 0,227	€ 681,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-093
Fabrikantnummer:: SIB4122DK-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SIB4122DK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.160Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.9nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	12.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.6mm
	Standards/Approvals	No
	Length	1.6mm
	Width	1.6mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK
	Series SIB4122DK
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.160Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 12.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.6mm
	Standards/Approvals No
	Length 1.6mm
	Width 1.6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIB4122DK-T1-GE3

Land van herkomst:: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SC-75, it utilizes ThunderFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.