Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
- RS-stocknr.:
- 818-1438
- Fabrikantnummer:
- SI8489EDB-T2-E1
- Fabrikant:
- Vishay
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*
€ 9,42
(excl. BTW)
€ 11,40
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 10 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,471 | € 9,42 |
| 200 - 980 | € 0,442 | € 8,84 |
| 1000 - 1980 | € 0,40 | € 8,00 |
| 2000 - 4980 | € 0,376 | € 7,52 |
| 5000 + | € 0,353 | € 7,06 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 818-1438
- Fabrikantnummer:
- SI8489EDB-T2-E1
- Fabrikant:
- Vishay
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | MICRO FOOT | |
| Series | Si8489EDB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.268mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type MICRO FOOT | ||
Series Si8489EDB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.268mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- CN
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Gerelateerde Links
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8824EDB-T2-E1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 8 V, 6-Pin MICRO FOOT SI8416DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1