Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 11,85

(excl. BTW)

€ 14,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 april 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,474€ 11,85
250 - 600€ 0,45€ 11,25
625 - 1225€ 0,342€ 8,55
1250 - 2475€ 0,309€ 7,73
2500 +€ 0,261€ 6,53

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
180-7932
Fabrikantnummer:
SI8483DB-T2-E1
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

MICRO FOOT

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.59mm

Length

1.5mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

Gerelateerde Links