Fabrikantnummer

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

RS-stocknr.:: 180-7932
Fabrikantnummer:: SI8483DB-T2-E1
Fabrikant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 11,85

(excl. BTW)

€ 14,35

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 21 mei 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
25 - 225	€ 0,474	€ 11,85
250 - 600	€ 0,45	€ 11,25
625 - 1225	€ 0,342	€ 8,55
1250 - 2475	€ 0,309	€ 7,73
2500 +	€ 0,261	€ 6,53

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 180-7932
Fabrikantnummer:: SI8483DB-T2-E1
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Series	TrenchFET
	Package Type	MICRO FOOT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	13W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	1.5mm
	Height	0.59mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Series TrenchFET
	Package Type MICRO FOOT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 13W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 1.5mm
	Height 0.59mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

Land van herkomst:: CN

The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.