Fabrikantnummer

Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS5712DN-T1-GE3

RS-stocknr.:: 653-112
Fabrikantnummer:: SIS5712DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS5712DN-T1-GE3

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.857,00

(excl. BTW)

€ 2.247,00

(incl. BTW)

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
3000 +	€ 0,619	€ 1.857,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-112
Fabrikantnummer:: SIS5712DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SIS5712DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0555Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	39.1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Lead (Pb)-Free
	Length	3.30mm
	Height	1.04mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type PowerPAK
	Series SIS5712DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0555Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 39.1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Lead (Pb)-Free
	Length 3.30mm
	Height 1.04mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIS5712DN-T1-GE3

Land van herkomst:: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.