Vishay SiH N channel-Channel MOSFET, 42 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK055N60E

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,75

(excl. BTW)

€ 10,59

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,75
10 - 49€ 5,42
50 - 99€ 4,19
100 +€ 3,10

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-155
Fabrikantnummer:
SiHK055N60E
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

42A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiH

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.049Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Forward Voltage Vf

600V

Maximum Power Dissipation Pd

236W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

13mm

Width

10mm

Height

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

Gerelateerde Links