Vishay SiH N channel-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SiHH068N60E

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,83

(excl. BTW)

€ 8,26

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 6,83
10 - 49€ 4,22
50 - 99€ 3,28
100 +€ 2,41

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-156
Fabrikantnummer:
SiHH068N60E
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SiH

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.059Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Forward Voltage Vf

600V

Maximum Power Dissipation Pd

202W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Length

8mm

Width

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

Gerelateerde Links