Vishay SiH N channel-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SiHK075N60EF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 7,98

(excl. BTW)

€ 9,66

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 7,98
10 - 49€ 4,94
50 - 99€ 3,83
100 +€ 2,82

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-159
Fabrikantnummer:
SiHK075N60EF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SiH

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.061Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Forward Voltage Vf

600V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

13mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

10mm

Height

2mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

Gerelateerde Links