Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode, 33 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 6.124,00

(excl. BTW)

€ 7.410,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 19 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 3,062€ 6.124,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
252-0265
Fabrikantnummer:
SIHK075N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.05mΩ

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links