Vishay E Series N channel-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG100N65E-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,02

(excl. BTW)

€ 7,28

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 6,02
10 - 49€ 3,73
50 - 99€ 2,89
100 +€ 1,96

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-208
Fabrikantnummer:
SIHG100N65E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247AC

Series

E Series

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

15.87 mm

Height

5.31mm

Length

20.82mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL

Gerelateerde Links