Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG085N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,76

(excl. BTW)

€ 6,97

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 500 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 5,76
5 - 9€ 5,64
10 - 99€ 5,18
100 - 499€ 4,25
500 +€ 3,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8297
Fabrikantnummer:
SIHG085N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHG

Package Type

TO-247AC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.7mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode which has reduced switching and conduction losses, and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Gerelateerde Links