Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302HDS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,14

(excl. BTW)

€ 0,17

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 24€ 0,14
25 - 99€ 0,10
100 - 499€ 0,07
500 +€ 0,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-213
Fabrikantnummer:
SI2302HDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.71W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
US

Gerelateerde Links