Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318HDS-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,20

(excl. BTW)

€ 0,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 mei 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 24€ 0,20
25 - 99€ 0,13
100 +€ 0,08

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-214
Fabrikantnummer:
SI2318HDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

5.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.051Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
US

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.