Vishay SISS26DN N channel-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS26DN-T1-BE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 1,80

(excl. BTW)

€ 2,18

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 juli 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 1,80
10 - 24€ 1,18
25 - 99€ 0,65
100 - 499€ 0,64
500 +€ 0,62

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
736-350
Fabrikantnummer:
SISS26DN-T1-BE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SISS26DN

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management applications. It operates effectively at high voltages with low on-resistance, making it Ideal for synchronous rectification and DC-DC converters.

Rated for a drain-source voltage of 60 V, ensuring robust operation

Optimised for minimal power loss in various applications

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.