Vishay SISS30DN N channel-Channel MOSFET, 54.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS30DN-T1-BE3

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 1,19

(excl. BTW)

€ 1,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Rol(len)
Per rol
1 +€ 1,19

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
736-352
Fabrikantnummer:
SISS30DN-T1-BE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

54.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SISS30DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00825Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient synchronous rectification and power conversion applications. It delivers excellent performance stability in demanding environments.

TrenchFET Gen IV technology enhances electrical efficiency

Very low on-resistance minimises energy losses during operation

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.