Infineon OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 127 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE031N08LM6CGSCATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,11

(excl. BTW)

€ 3,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.746 stuk(s) vanaf 02 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,11
10 - 99€ 2,14
100 - 499€ 1,82
500 - 999€ 1,76
1000 +€ 1,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-895
Fabrikantnummer:
IQE031N08LM6CGSCATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

127A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-WHTFN-9

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.4mm

Height

750μm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is optimized for high performance SMPS featuring rated voltage of 80 V. It is halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and is RoHS compliant.

N‑channel

100% avalanche tested

75°C operating temperature

Pb‑free lead plating

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.