ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 40 V, 8-Pin HSMT RQ3G120BKFRATCB

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 6,13

(excl. BTW)

€ 7,42

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Nieuw product (vandaag reserveren)
  • Verzending vanaf 02 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,613€ 6,13
100 - 490€ 0,54€ 5,40
500 +€ 0,436€ 4,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
780-667
Fabrikantnummer:
RQ3G120BKFRATCB
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.1mm

Length

3.3mm

Height

0.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This robust device is engineered for ADAS and infotainment systems, ensuring efficient performance in demanding vehicle environments up to 150°C.

Drain to source voltage of 40 V

Continuous drain current of 12 A

17.4 mOhm typical on-resistance at 10 V

High power dissipation of 40 W

Gerelateerde Links