ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin HSMT RQ3L120BLFRATCB

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 6,23

(excl. BTW)

€ 7,54

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Nieuw product (vandaag reserveren)
  • Verzending vanaf 02 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,623€ 6,23
100 - 490€ 0,548€ 5,48
500 +€ 0,443€ 4,43

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
780-679
Fabrikantnummer:
RQ3L120BLFRATCB
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.1mm

Length

3.3mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for ADAS and body control systems, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments up to 150°C.

Drain to source voltage of 60 V

Continuous drain current of 12 A

35 mΩ typical on-resistance at 10 V

Low gate charge of 7.5 nC for fast switching

Gerelateerde Links