ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 8-Pin HSMT RQ3P120BLFRATCB

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 6,25

(excl. BTW)

€ 7,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Nieuw product (vandaag reserveren)
  • Verzending vanaf 02 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,625€ 6,25
100 - 490€ 0,551€ 5,51
500 +€ 0,444€ 4,44

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
780-680
Fabrikantnummer:
RQ3P120BLFRATCB
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

83mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.1mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

3.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for ADAS and infotainment systems, ensuring efficient operation in a Compact 3.2mm x 3mm footprint.

Drain to source voltage of 100 V

Continuous drain current of 12 A

High power dissipation of 40 W

Compact HSMT8AG surface mount package

Gerelateerde Links