ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 2 eenheden)*

€ 6,76

(excl. BTW)

€ 8,18

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2 - 18€ 3,38€ 6,76
20 - 98€ 2,975€ 5,95
100 +€ 2,40€ 4,80

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
780-669
Fabrikantnummer:
SCT2H12NWBTL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.7kV

Package Type

TO

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

0mV

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.5mm

Length

15.5mm

Width

10.2mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.

Drain to source voltage of 1700 V

Continuous drain current of 3.9 A

1.15 Ohm typical on-resistance

High power dissipation of 39 W

Gerelateerde Links